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MMBZ27VALT1G
0.02
MMBZ27VALT1G 数据手册 (7 页)
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MMBZ27VALT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
27.0 V
封装
SOT-23-3
额定功率
40.0 W
针脚数
3 Position
功耗
40 W
钳位电压
40 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
28.35 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
25.65 V
击穿电压
25.65 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBZ27VALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBZ27VALT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.17 MByte

MMBZ27VALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Leshan Radio(乐山无线电)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚
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