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Datasheet 搜索 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > MMBZ6V8ALFHT116 Datasheet 文档
MMBZ6V8ALFHT116
0.037
MMBZ6V8ALFHT116 数据手册 (10 页)
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MMBZ6V8ALFHT116 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
2 Channel
针脚数
3 Position
钳位电压
9.6 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
7.14 V
脉冲峰值功率
24 W
最小反向击穿电压
6.46 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBZ6V8ALFHT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
150℃ (TJ)

MMBZ6V8ALFHT116 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 1.48 MByte

MMBZ6V8 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V8ALT1G  单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
DIODES INC.  MMBZ6V8AL-7-F  TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW, MMBZ6 Series
ON Semiconductor(安森美)
MMBZ6V8ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 4.5V 2.5A 0.225W/225mW SOT23-6.8V 标记6A8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
Diodes(美台)
NXP(恩智浦)
NXP  MMBZ6V8AL  静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
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