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MMBZ6V8ALT1
0.05
MMBZ6V8ALT1 数据手册 (7 页)
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MMBZ6V8ALT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
6.80 V
封装
SOT-23-3
额定功率
24.0 W
击穿电压
6.80 V
电路数
2 Circuit
脉冲峰值功率
24 W
最小反向击穿电压
6.46 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MMBZ6V8ALT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3.04 mm
宽度
1.40 mm
高度
1.26 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBZ6V8ALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

MMBZ6V8 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V8ALT1G  单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
DIODES INC.  MMBZ6V8AL-7-F  TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW, MMBZ6 Series
ON Semiconductor(安森美)
MMBZ6V8ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 4.5V 2.5A 0.225W/225mW SOT23-6.8V 标记6A8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
Diodes(美台)
NXP(恩智浦)
NXP  MMBZ6V8AL  静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 9.6 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
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