￥ 0.011

MMUN2111LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMUN2111LT1G 数据手册 (12 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页 9 页 10 页 11 页 12 页

MMUN2111LT1G 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MMUN2111LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-50.0 V

额定电流

-100 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

246 mW

无卤素状态

Halogen Free

极性

PNP

功耗

0.4 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

246 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

查看数据手册 >

MMUN2111LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

MMUN2111LT1G 符合标准

MMUN2111LT1G 海关信息

MMUN2111LT1G 概述

MMUN2111LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.14 MByte

MMUN2111LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

22 页 / 1.31 MByte

MMUN2111LT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMUN2111LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 0.94 MByte

MMUN2111LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

MMUN2111LT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

MMUN2111LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

MMUN2111LT1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MMUN2111LT1 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

MMUN2111LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

MMUN2111LT1_05 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号