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MMUN2115LT1G
0.016
MMUN2115LT1G 数据手册 (12 页)
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MMUN2115LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
246 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
160 @5mA, 10V
额定功率(Max)
400 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

MMUN2115LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMUN2115LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.17 MByte

MMUN2115LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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