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MMUN2211LT1
0.02
MMUN2211LT1 数据手册 (17 页)
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MMUN2211LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
功耗
246 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
35
额定功率(Max)
246 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

MMUN2211LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm

MMUN2211LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.11 MByte

MMUN2211 数据手册

Weitron Technology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT3G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
MMUN2211RLT1 偏置电阻晶体管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ SOT23 代码 A8A
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
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