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器件3D模型
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MMUN2211LT1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
Pictures:
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MMUN2211LT1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
246 mW
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
246 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
35
额定功率(Max)
246 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW
电源电压
1.8 V
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MMUN2211LT1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
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MMUN2211LT1G 符合标准
MMUN2211LT1G 海关信息
MMUN2211LT1G 概述
●
双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor
●
### 标准
●
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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产品修订记录
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MMUN2211LT1G
产品手册
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MMUN2211LT1G
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ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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