￥ 0.014

MMUN2211LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新

Pictures:

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符号图

焊盘图

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MMUN2211LT3G 数据手册 (12 页)

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MMUN2211LT3G 数据手册 (12 页)

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MMUN2211LT3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

0.4 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

35 @5mA, 10V

额定功率(Max)

246 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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MMUN2211LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MMUN2211LT3G 符合标准

MMUN2211LT3G 海关信息

MMUN2211LT3G 概述