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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMUN2215LT1G Datasheet 文档
MMUN2215LT1G
0.015
MMUN2215LT1G 数据手册 (12 页)
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MMUN2215LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
400 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

MMUN2215LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm

MMUN2215LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.17 MByte

MMUN2215LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MMUN2215LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8E ESD保护
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23
Leshan Radio(乐山无线电)
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