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MPF4393G
0.011
MPF4393G 数据手册 (6 页)
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MPF4393G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
50.0 mA
封装
TO-226-3
漏源极电阻
100 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
输入电容
10.0 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
30 V
击穿电压
30 V
输入电容值(Ciss)
10pF @15V(Vgs)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

MPF4393G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
高度
5.33 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MPF4393G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte

MPF4393 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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Motorola(摩托罗拉)
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Allegro MicroSystems(急速微电子)
ON Semiconductor(安森美)
JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
ON Semiconductor(安森美)
JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
ON Semiconductor(安森美)
JFET开关晶体管N通道 - 耗尽 JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
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