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MPS650G
1.151
MPS650G 数据手册 (5 页)
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MPS650G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
75 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
75 @1A, 2V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
75
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

MPS650G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Box
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPS650G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

MPS650 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Central Semiconductor
Continental Device
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Micro Electronics
New Jersey Semiconductor
Toshiba(东芝)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MPS650G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE
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