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MPSA14G
0.028
MPSA14G 数据手册 (6 页)
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MPSA14G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
500 mA
封装
TO-226-3
额定功率
625 mW
输出电压
30 V
输出电流
500 mA
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
20000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
20000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
625 mW
输入电压
10 V

MPSA14G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSA14G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

MPSA14 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿晶体管( NPN硅) Darlington Transistors(NPN Silicon)
Multicomp
MULTICOMP  MPSA14  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, 20000 hFE
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
CJ(长电科技)
达林顿管 MPSA14 TO-92
Central Semiconductor
MPSA14 系列 硅 30 V 500 mA NPN 达林顿 晶体管 - TO-92-3
NTE Electronics
NXP(恩智浦)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistor
Micro Commercial Components(美微科)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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