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MPSW45AZL1G
0.122
MPSW45AZL1G 数据手册 (6 页)
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MPSW45AZL1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
1000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
25000 @200mA, 5V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
100MHz (Min)
耗散功率(Max)
1000 mW

MPSW45AZL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSW45AZL1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte

MPSW45AZL1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
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