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器件3D模型
¥ 311.946
MRF151 数据手册 - M/A-Com
制造商:
M/A-Com
分类:
晶体管
封装:
211-11
描述:
射频功率场效应晶体管150 W, 50 V, 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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MRF151 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
175 MHz
引脚数
4 Pin
额定电流
16 A
封装
211-11
功耗
300 W
阈值电压
3 V
漏源击穿电压
125 V
输出功率
150 W
增益
13dB ~ 22dB
测试电流
250 mA
输入电容值(Ciss)
350pF @50V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW
额定电压
125 V
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MRF151 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
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MRF151 符合标准
MRF151 海关信息
MRF151 概述
●
RF Mosfet N 通道 50 V 250 mA 175MHz 13dB ~ 22dB 150W -
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