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MRF559G
1.335
MRF559G 数据手册 (1 页)
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MRF559G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
Micro-X
功耗
2000 mW
输出功率
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
16 V
增益
8dB ~ 9.5dB
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

MRF559G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk

MRF559G 数据手册

Microsemi(美高森美)
1 页 / 1.22 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.13 MByte

MRF559 数据手册

Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
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