￥ 1.454

MRF581A 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

Micro-X

描述:

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MRF581A 数据手册 (6 页)

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MRF581A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

Micro-X

功耗

1250 mW

击穿电压(集电极-发射极)

15 V

增益

13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数

90 @50mA, 5V

额定功率(Max)

1.25 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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MRF581A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Bulk

高度

2.54 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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MRF581A 符合标准

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Microsemi（美高森美）

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