￥ 57.961

MRF6V2150NBR1 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

晶体管

封装:

TO-272

描述:

晶体管, 射频FET, 110 V, 150 W, 10 MHz, 450 MHz, TO-272

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MRF6V2150NBR1 数据手册 (10 页)

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MRF6V2150NBR1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Flange

频率

220 MHz

引脚数

5 Pin

额定电流

2.5 mA

封装

TO-272

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

4 Position

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

110 V

漏源击穿电压

110V (min)

连续漏极电流(Ids)

2.50 mA

输出功率

150 W

增益

25 dB

测试电流

450 mA

输入电容值(Ciss)

163pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

225 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

额定电压

110 V

电源电压

50 V

MRF6V2150NBR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 225℃

MRF6V2150NBR1 符合标准

MRF6V2150NBR1 海关信息

MRF6V2150NBR1 数据手册

MRF6V2150NBR1 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

10 页 / 0.42 MByte

MRF6V2150NBR1 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

86 页 / 0.27 MByte

MRF6V2150NBR1 开发手册

NXP（恩智浦）

22 页 / 1.62 MByte

MRF6V2150NBR1 产品封装文件

NXP（恩智浦）

6 页 / 0.86 MByte

MRF6V2150NBR1 产品修订记录

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.18 MByte

MRF6V2150 数据手册

MRF6V2150NR1 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 110 V, 450 MHz, 10 MHz, TO-270WB

MRF6V2150NBR1 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 110 V, 150 W, 10 MHz, 450 MHz, TO-272

MRF6V2150NBR1 数据手册

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W

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