￥ 243.04

MRFX1K80GNR5 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

OM-1230G-4L

描述:

晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MRFX1K80GNR5 数据手册 (48 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MRFX1K80GNR5 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

1.8MHz ~ 470MHz

引脚数

5 Pin

封装

OM-1230G-4L

针脚数

4 Position

功耗

3.333 kW

漏源极电压(Vds)

179 V

输出功率

1800 W

增益

24 dB

输入电容值(Ciss)

765pF @65V(Vds)

工作温度(Max)

225 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

3333000 mW

MRFX1K80GNR5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

MRFX1K80GNR5 符合标准

MRFX1K80GNR5 数据手册

MRFX1K80GNR5 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

48 页 / 2.85 MByte

MRFX1K80GNR5 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.36 MByte

MRFX1K80GNR5 产品修订记录

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.18 MByte

MRFX1K80 数据手册

MRFX1K80HR5 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

MRFX1K80NR5 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230

MRFX1K80GNR5 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G

MRFX1K80H-128MHZ 数据手册

NXP（恩智浦）

MRFX1K80H-27MHZ 数据手册

NXP（恩智浦）

MRFX1K80H-230MHZ 数据手册

NXP（恩智浦）

MRFX1K80H-88MHZ 数据手册

NXP（恩智浦）

MRFX1K80H-64MHZ 数据手册

NXP（恩智浦）

MRFX1K80H 数据手册

NXP（恩智浦）

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号