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MSD42WT1G
器件3D模型
0.037
MSD42WT1G 数据手册 (4 页)
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MSD42WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
300 V
额定电流
150 mA
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
450 mW
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
40 @30mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MSD42WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MSD42WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte

MSD42WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors
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