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MTB30P06VT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTB30P06VT4G 数据手册 (8 页)

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MTB30P06VT4G 数据手册 (8 页)

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MTB30P06VT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-30.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

80 mΩ

极性

P-Channel

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

25.9 ns

输入电容值(Ciss)

2190pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3 W

下降时间

52.4 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta), 125W (Tc)

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MTB30P06VT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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MTB30P06VT4G 符合标准

MTB30P06VT4G 海关信息

MTB30P06VT4G 概述