￥ 0.498

MTD6N15T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MTD6N15T4G 数据手册 (6 页)

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MTD6N15T4G 数据手册 (6 页)

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MTD6N15T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

150 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

150 V

漏源击穿电压

150 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

180 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta), 20W (Tc)

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MTD6N15T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MTD6N15T4G 符合标准

MTD6N15T4G 海关信息

MTD6N15T4G 概述