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MUN2111T1G
0.019
MUN2111T1G 数据手册 (12 页)
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MUN2111T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
0.338 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
35
额定功率(Max)
230 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338 mW

MUN2111T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.09 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MUN2111T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MUN2111T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
MUN2111T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 60 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6A 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN2111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
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