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器件3D模型
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MUN2111T1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
Pictures:
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MUN2111T1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
0.338 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
35
额定功率(Max)
230 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338 mW
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MUN2111T1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.09 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
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MUN2111T1G 符合标准
MUN2111T1G 海关信息
MUN2111T1G 概述
●
双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor
●
### 标准
●
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●
### 数字晶体管,On Semiconductor
●
配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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MUN2111T1G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
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ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.2 MByte
MUN2111T1G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
MUN2111T1G
开发手册
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
MUN2111T1G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
MUN2111T1G
产品手册
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.22 MByte
MUN2111T1G
其他参考文件
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte
MUN2111T1 数据手册
MUN2111T1
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
MUN2111T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 60 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6A 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
MUN2111T1
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
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