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MUN2211JT1
0.02
MUN2211JT1 数据手册 (31 页)
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MUN2211JT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
额定功率(Max)
230 mW

MUN2211JT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

MUN2211JT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.23 MByte

MUN2211 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Weitron Technology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
ON Semiconductor(安森美)
MUN2211JT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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