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MUN2211T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MUN2211T1G 数据手册 (12 页)

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MUN2211T1G 数据手册 (12 页)

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MUN2211T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

0.338 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

230 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

338 mW

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MUN2211T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.5 mm

高度

1.09 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MUN2211T1G 符合标准

MUN2211T1G 海关信息

MUN2211T1G 概述

MUN2211T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.13 MByte

MUN2211T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

21 页 / 0.18 MByte

MUN2211T1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 0.94 MByte

MUN2211T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

MUN2211T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

MUN2211T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护

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ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

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