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MUN2233T1G
0.016
MUN2233T1G 数据手册 (12 页)
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MUN2233T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
338 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
80
额定功率(Max)
230 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338 mW

MUN2233T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.09 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MUN2233T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
39 页 / 2.8 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

MUN2233T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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