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MUN5214DW1T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

晶体管

封装:

SOT-363-6

描述:

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MUN5214DW1T1 数据手册 (8 页)

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MUN5214DW1T1 数据手册 (8 页)

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MUN5214DW1T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-363-6

极性

NPN

功耗

187 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

最大电流放大倍数

80 @5mA, 10V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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MUN5214DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

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MUN5214DW1T1 符合标准

MUN5214DW1T1 海关信息

MUN5214DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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ON SEMICONDUCTOR MUN5214DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363

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