器件3D模型

￥ 0.21

MUN5311DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G. 标准恢复功率整流器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MUN5311DW1T1G 数据手册 (10 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

MUN5311DW1T1G 数据手册 (10 页)

或点击图片查看大图

MUN5311DW1T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SC-70-6

无卤素状态

Halogen Free

通道数

2 Channel

极性

NPN, PNP

功耗

0.385 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

35 @5mA, 10V

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

385 mW

查看数据手册 >

MUN5311DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

MUN5311DW1T1G 符合标准

MUN5311DW1T1G 海关信息

MUN5311DW1T1G 概述

MUN5311DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.09 MByte

MUN5311DW1T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MUN5311DW1T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

MUN5311DW1T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

MUN5311DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MUN5311DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 60 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记11F 开关电路逆变器接口电路驱动电路

MUN5311DW1T1 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

MUN5311DW1T1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MUN5311DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G. 标准恢复功率整流器

MUN5311DW1T1G 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号