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MUN5335DW1T1
0.017
MUN5335DW1T1 数据手册 (10 页)
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MUN5335DW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-88
极性
NPN+PNP
功耗
385 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
385 mW

MUN5335DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

MUN5335DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
35 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.1 MByte

MUN5335DW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
ON Semiconductor(安森美)
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
ON Semiconductor(安森美)
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
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