器件3D模型

￥ 4.239

NAND01GW3B2AN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

存储芯片

封装:

TSOP-48

描述:

NAND闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NAND01GW3B2AN6E 数据手册 (61 页)

典型应用电路图在9 页 15 页

NAND01GW3B2AN6E 数据手册 (61 页)

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NAND01GW3B2AN6E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

48 Pin

电源电压

3.30 V, 3.60 V (max)

封装

TSOP-48

内存容量

1000000000 B

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

2.7V ~ 3.6V

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NAND01GW3B2AN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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NAND01GW3B2AN6E 符合标准

NAND01GW3B2AN6E 概述

NAND01GW3B2AN6E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

61 页 / 1.37 MByte

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