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NAND128W3A2BN6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TSOP1

描述:

128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NAND128W3A2BN6 数据手册 (57 页)

封装尺寸在47 页 48 页 49 页 50 页 51 页 52 页

典型应用电路图在8 页 16 页

原理图在9 页 23 页 24 页

NAND128W3A2BN6 数据手册 (57 页)

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NAND128W3A2BN6 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TSOP1

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NAND128W3A2BN6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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NAND128W3A2BN6 符合标准

NAND128W3A2BN6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

57 页 / 0.41 MByte

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