器件3D模型

￥ 1.3

NAND128W3A2BN6E 数据手册 - Micron（镁光）

制造商:

Micron（镁光）

分类:

Flash芯片

封装:

TSOP-48

描述:

MICRON NAND128W3A2BN6E 闪存, 与非, 128 MB, 16K x 8位, TSOP, 48 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NAND128W3A2BN6E 数据手册 (56 页)

封装尺寸在47 页 48 页 49 页 50 页

典型应用电路图在8 页 16 页

原理图在9 页 23 页

NAND128W3A2BN6E 数据手册 (56 页)

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NAND128W3A2BN6E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

48 Pin

电源电压

2.70V (min)

额定电压(DC)

3.00 V

工作电压

2.7V ~ 3.6V

封装

TSOP-48

供电电流

20 mA

针脚数

48 Position

位数

8 Bit

存取时间

12 µs

内存容量

128000000 B

存取时间(Max)

12000 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max)

3.6 V

电源电压(Min)

2.7 V

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NAND128W3A2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Each

高度

1 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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NAND128W3A2BN6E 符合标准

NAND128W3A2BN6E 数据手册

Micron（镁光）

56 页 / 0.92 MByte

NAND128W3A2BN6E 其他数据使用手册

Micron（镁光）

60 页 / 1.1 MByte

NAND128W3A2BN6E 产品修订记录

Micron（镁光）

3 页 / 0.22 MByte

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128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

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