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器件3D模型
¥ 0.793
NCP81074BDR2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
ON SEMICONDUCTOR NCP81074BDR2G 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, NSOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NCP81074BDR2G 数据手册 (12 页)
引脚图
在
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封装尺寸
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原理图
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NCP81074BDR2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
4 ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
上升时间
7 ns
下降时间
7 ns
下降时间(Max)
4 ns
上升时间(Max)
4 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
4.5 V
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NCP81074BDR2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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NCP81074BDR2G 符合标准
NCP81074BDR2G 海关信息
NCP81074BDR2G 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
●
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
●
### MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
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NCP81074BDR2G 数据手册
NCP81074BDR2G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
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NCP81074BDR2G
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ON Semiconductor(安森美)
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NCP81074BDR2
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