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> 放大器、缓冲器 > ON Semiconductor(安森美) > NCS20074DR2G Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 4.101
NCS20074DR2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
SOIC-14
描述:
36V轨对轨输出,3MHz,四通道运算放大器
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NCS20074DR2G 数据手册 (23 页)
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在
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电气规格
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NCS20074DR2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
输出电流
60mA @5V
供电电流
465 µA
电路数
4 Circuit
针脚数
14 Position
功耗
200 mW
共模抑制比
145 dB
带宽
3 MHz
增益频宽积
3.2 MHz
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
200 mW
共模抑制比(Min)
60dB ~ 65dB
电源电压(Max)
36V ~ 37V
查看数据手册 >
NCS20074DR2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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NCS20074DR2G 数据手册
NCS20074DR2G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
23 页 / 0.93 MByte
NCS20074DR2G
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
30 页 / 1.25 MByte
NCS20074DR2G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.03 MByte
NCS20074DR2 数据手册
NCS20074DR2
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
36V轨对轨输出,3MHz,四通道运算放大器
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