器件3D模型

￥ 0.452

NCV8402ADDR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NCV8402ADDR2G Dual MOSFET, Dual N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V 新

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NCV8402ADDR2G 数据手册 (10 页)

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NCV8402ADDR2G 数据手册 (10 页)

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NCV8402ADDR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

输出接口数

1 Output

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.165 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.62 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

42 V

连续漏极电流(Ids)

输出电流(Max)

2 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1620 mW

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NCV8402ADDR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NCV8402ADDR2G 符合标准

NCV8402ADDR2G 海关信息

NCV8402ADDR2G 概述