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器件3D模型
¥ 0.317
NCV8402ASTT1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
MOS管
封装:
TO-261-4
描述:
ON SEMICONDUCTOR NCV8402ASTT1G MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V 新
Pictures:
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NCV8402ASTT1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
1 Output
输出电流
5.4 A
通道数
2 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.165 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.1 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
42 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
2A
输出电流(Max)
2 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1620 mW
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NCV8402ASTT1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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NCV8402ASTT1G 符合标准
NCV8402ASTT1G 海关信息
NCV8402ASTT1G 概述
●
保护 MOSFET SMARTDISCRETES™,ON Semiconductor
●
自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD(静电放电)保护。
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产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
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NCV8402ASTT1G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
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NCV8402ASTT1 数据手册
NCV8402ASTT1
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NCV8402ASTT1G MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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