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器件3D模型
¥ 2.956
NCV8402ASTT3G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
MOS管
封装:
TO-261-4
描述:
保护 MOSFET SMARTDISCRETES™,ON Semiconductor自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD(静电放电)保护。### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
Pictures:
3D模型
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NCV8402ASTT3G 数据手册 (13 页)
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NCV8402ASTT3G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
1 Output
通道数
2 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.165 Ω
极性
N-CH
功耗
1.1 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
42 V
连续漏极电流(Ids)
2A
输出电流(Max)
2 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1620 mW
查看数据手册 >
NCV8402ASTT3G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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NCV8402ASTT3G 符合标准
NCV8402ASTT3G 海关信息
NCV8402ASTT3G 概述
●
保护 MOSFET SMARTDISCRETES™,ON Semiconductor
●
自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD(静电放电)保护。
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NCV8402ASTT3G 数据手册
NCV8402ASTT3G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
NCV8402ASTT3G
产品设计参考手册
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.73 MByte
NCV8402ASTT3G
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.11 MByte
NCV8402ASTT3G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
NCV8402ASTT3G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte
NCV8402ASTT3 数据手册
NCV8402ASTT3
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
保护 MOSFET SMARTDISCRETES™,ON Semiconductor自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD(静电放电)保护。### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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