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NDC7002N
0.151
NDC7002N 数据手册 (9 页)
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NDC7002N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
2 Ω
功耗
900 mW
阈值电压
1.9 V
输入电容
20 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
960 mW

NDC7002N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

NDC7002N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.68 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.48 MByte

NDC7002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDC7002N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 510 mA, 50 V, 2 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
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