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NDD05N50ZT4G
0.188
NDD05N50ZT4G 数据手册 (10 页)
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NDD05N50ZT4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
1.25 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
530pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

NDD05N50ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDD05N50ZT4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.03 MByte

NDD05N50ZT4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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