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NDF04N60ZH 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

单N沟道功率MOSFET,600V,4.8A,2.0Ω

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDF04N60ZH 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

NDF04N60ZH 数据手册 (9 页)

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NDF04N60ZH 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2 Ω

极性

N-CH

功耗

30 W

阈值电压

3.9 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.8A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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NDF04N60ZH 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NDF04N60ZH 符合标准

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ON Semiconductor（安森美）

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