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NDF11N50Z
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NDF11N50Z 数据手册 (7 页)
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NDF11N50Z 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220
漏源极电阻
0.52 Ω
极性
N-CH
功耗
39 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
12A

NDF11N50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
50

NDF11N50Z 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte

NDF11N50 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NDF11N50ZG  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.48 ohm, 10 V, 3.9 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET,500V,10.5A,0.52Ω,单N沟道
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的500 V, 0.52 ? N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52
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