￥ 1.272

NDPL180N10BG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDPL180N10BG 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

NDPL180N10BG 数据手册 (5 页)

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NDPL180N10BG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

320 ns

输入电容值(Ciss)

6950pF @50V(Vds)

下降时间

130 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 200W (Tc)

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NDPL180N10BG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.5 mm

高度

15.7 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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NDPL180N10BG 符合标准

NDPL180N10BG 概述

NDPL180N10BG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.65 MByte

NDPL180N10BG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.77 MByte

NDPL180N10BG 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.16 MByte

NDPL180N10 数据手册

NDPL180N10BG 数据手册

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