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NDS352AP 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道 30 V 0.5 Ohm 逻辑电平增强模式场效应晶体管 - SSOT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDS352AP 数据手册 (7 页)

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NDS352AP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

功耗

500 mW

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

135pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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NDS352AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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NDS352AP 符合标准

NDS352AP 概述

NDS352AP 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

NDS352AP 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.59 MByte

NDS352AP 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

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