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器件3D模型
¥ 1.498
NDS355AN_Q 数据手册 - Fairchild(飞兆/仙童)
制造商:
Fairchild(飞兆/仙童)
封装:
SSOT-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NDS355AN_Q 数据手册 (8 页)
NDS355AN_Q 数据手册
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NDS355AN_Q 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
SSOT-3
极性
N-CH
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.7A
上升时间
32 ns
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
查看数据手册 >
NDS355AN_Q 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
2.9 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.12 mm
查看数据手册 >
NDS355AN_Q 符合标准
NDS355AN_Q 数据手册
NDS355AN_Q
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.06 MByte
NDS355 数据手册
NDS355
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS355
AN
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS355AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V
NDS355
AN
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
NDS355
N
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS355
N
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
NDS355N 编带
NDS355
AN_NL
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
NDS355
N_NL
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
NDS355
AN-F169
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
NDS355
AN-NB9L007A
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
NDS355
AN_G
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