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NDS356AP
0.252
NDS356AP 数据手册 (7 页)
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NDS356AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.3 Ω
功耗
0.5 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
280pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

NDS356AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

NDS356AP 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.6 MByte

NDS356 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NDS356 P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.25ohm SOT-23 marking/标记 356
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS356AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
P沟道 30V 1.1A
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
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