Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > NDS356P Datasheet 文档
NDS356P
1
NDS356P 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NDS356P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-1.10 A
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
功耗
500mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.1A
输入电容值(Ciss)
180pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

NDS356P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDS356P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.07 MByte

NDS356 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NDS356 P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.25ohm SOT-23 marking/标记 356
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS356AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
P沟道 30V 1.1A
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z