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NDT014L
0.345
NDT014L 数据手册 (1 页)
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NDT014L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.80 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.12 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.80 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
214pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta)

NDT014L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

NDT014L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.22 MByte

NDT014 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT014  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT014L  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014L, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fenghua(风华高科)
TI(德州仪器)
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