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NDT3055L
0.25
NDT3055L 数据手册 (5 页)
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NDT3055L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
3.50 A
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
7.5 ns
输入电容值(Ciss)
345pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

NDT3055L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

NDT3055L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

NDT3055 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT3055  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fenghua(风华高科)
TI(德州仪器)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT3055L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-223
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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