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NDT452AP
0.414
NDT452AP 数据手册 (7 页)
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NDT452AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.065 Ω
功耗
3 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
3 W

NDT452AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.56 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

NDT452AP 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.21 MByte

NDT452 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT452AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 65 mohm, -10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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