器件3D模型

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NE5517D 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-16

描述:

双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NE5517D 数据手册 (15 页)

引脚图在1 页 2 页Hot

封装尺寸在14 页 15 页

典型应用电路图在7 页

原理图在2 页

NE5517D 数据手册 (15 页)

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NE5517D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-16

供电电流

2.6 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

功耗

1125 mW

共模抑制比

80 dB

增益频宽积

2 MHz

输入补偿电压

400 µV

输入偏置电流

400 nA

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

耗散功率(Max)

1125 mW

电源电压(Max)

44 V

电源电压(Min)

4 V

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NE5517D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃

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NE5517D 符合标准

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ON Semiconductor（安森美）

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