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NE5532DR2G
器件3D模型
0.18
NE5532DR2G 数据手册 (10 页)
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NE5532DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
22.0V (max)
封装
SOIC-16
无卤素状态
Halogen Free
供电电流
8 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.2 W
共模抑制比
70 dB
带宽
10 MHz
转换速率
9.00 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
200 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
10 MHz
耗散功率(Max)
1200 mW
共模抑制比(Min)
70 dB

NE5532DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
10.45 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.4 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

NE5532DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.24 MByte

NE5532DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
内部补偿双低噪声运算放大器 Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NE5532DR2G  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, WSOIC, 16 引脚
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